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  功率模塊首要用于高電壓、大電流的場合，所發(fā)生的熱量首要通過散熱基板傳導到外殼而發(fā)散出去。功率模塊作業(yè)中的熱量首要來自PN結(jié)發(fā)生的熱量，其結(jié)溫通常在125℃～175℃之間，一旦超過PN結(jié)容許的耗散功率，就會因熱量發(fā)散不出去而導致PN結(jié)溫度上升，直至過熱而焚毀，形成芯片熱擊穿。因此散熱基板的高散熱功用至關(guān)重要。

  功率模塊上運用最廣的為陶瓷基板，首要是Al2O3陶瓷外表焊接區(qū)域覆鎳或銀，具有較好的濕潤性，可是焊點強度較差。為了前進陶瓷資料導熱才調(diào)，出現(xiàn)了高導熱的AlN、SiC陶瓷基板，可是價格昂貴，運用較少。近十年來，覆銅陶瓷基板(DBC)的出現(xiàn)，使傳統(tǒng)的陶瓷基板的有了較大的改善，其具有焊接性好、散熱好的特征，在功率模塊上有較廣泛的運用，但比較傳統(tǒng)陶瓷基板價格仍然較高。而近幾年，覆銅鋁基板在LED燈作業(yè)的運用，使小功率模塊變得輕型化、小型化看到了曙光。在這里不得不介紹一下金屬基板的翻開。金屬基板首要有金屬芯基板、包覆型金屬基板、金屬基板三種?，F(xiàn)在金屬芯基板根柢現(xiàn)已看不見了。而較為稀有的是包覆型金屬，在其外表包裹一層釉料，起到絕緣層的目的，在此基礎(chǔ)上經(jīng)絲網(wǎng)漏印、燒結(jié)制成一層金屬焊接層。現(xiàn)在運用最廣泛的是金屬基板，它是以金屬板(銅、鋁、鐵等)為底材，在其覆上有樹脂作為絕緣層，然后再覆上導電層。其間最為常見的覆銅鋁基板。

  早在上世紀五十年代，日本專家就現(xiàn)已有金屬基覆銅箔這種幻想，而直到1969年該制作技能由日本三洋電機公司初度開發(fā)成功。  前期的覆銅鋁基板熱導率較差，究其原因首要是所運用的FR-4半固化片熱導率十分低，僅為(0.15～0.25)W/mk。這種傳統(tǒng)的絕緣層是由覆有環(huán)氧玻璃布半固化片制成的多層結(jié)構(gòu)。常見的有機資料的功用如表1所示。這種傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)不只存在散熱問題，而且高溫下焊接時因為熱膨脹系數(shù)不一致存在絕緣層與金屬基板分別問題。而最近幾年，改善的絕緣層新式覆銅鋁基板具有較大的優(yōu)勢，處理了分層問題，一起熱導率低的問題也大大改善。由BN、Al2O3、Si3N4等陶瓷顆粒組成的混合填充料而改性的環(huán)氧樹脂熱導率可達3W/mK左右。除此之外，絕緣層的絕緣耐壓才調(diào)也得到了明顯前進。在我國鋁基板起步較晚，翻開較慢。可是覆銅鋁基板仍是以其最優(yōu)的性價比，優(yōu)異的電氣功用、散熱性、電磁屏蔽性、高耐壓，在新式的LED燈、微電子等作業(yè)得到廣泛運用。

  現(xiàn)在國內(nèi)外廣泛采用在絕緣層中添加高導熱的陶瓷顆粒，并對填料的比例進行調(diào)整以滿足熱導率方針，對樹脂進行改性使其具有較好的電學和機械加工功用。因此，這種新式覆銅鋁基板在功率模塊封裝具有較大的運用前景。